Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTK150N15P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 400 | MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
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IXTK160N20 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 160 Amps 200V 0.013 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻... | ||||||
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IXTK170N10P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻... | ||||||
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IXTK170P10P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 170 ... | ||||||
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IXTK17N120L | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 17 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：17 A，电阻... | ||||||
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IXTK180N15 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻... | ||||||
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IXTK180N15P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻... | ||||||
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IXTK200N10P | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：200 A，电阻... | ||||||
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IXTK21N100 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
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IXTK22N100L | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET N-CHAN 1000V 22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极... | ||||||
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IXTK250N10 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：250 A，电阻... | ||||||
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IXTK32P60P | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXTK33N50 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：33 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK40P50P | Ixys | TO-264（IXTK） | 2,434 | MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 40 A... | ||||||
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IXTK46N50L | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 44 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：46 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK60N50L2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 60 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTK62N25 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK75N30 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK80N25 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK82N25P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 19 | MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲... | ||||||
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