Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
IXTH88N30P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXTH8P50 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 8 A，... | ||||||
|
|
IXTH90P10P | Ixys | TO-247-3 | 4,167 | MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 90 A... | ||||||
|
|
IXTH96N20P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXTH96N25T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXTH96P085T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXTH98N20T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
IXTI10N60P | Ixys | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXTI12N50P | Ixys | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
|
IXTJ36N20 | Ixys | TO-247AD | MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
|
IXTK100N25P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 18 | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK102N30P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 47 | MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK110N20L2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXTK110N30 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK120N20P | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK120N25 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK120N25P | Ixys | TO-264（IXTK） | 45 | MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK128N15 | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 128 Amps 150V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：128 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK140N20P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：140 A，电阻... | ||||||
|
|
IXTK140N30P | Ixys | TO-264（IXTK） | 17 | MOSFET Polar Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
79/128 首页 上页 [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] 下页 尾页
