Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTH2R4N120P | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 2.4 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.4 A，电... | ||||||
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IXTH30N25 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH30N50 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH30N50L | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 30 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH30N50L2 | Ixys | TO-247-3 | 56 | MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH30N50P | Ixys | TO-247-3 | 26 | MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH30N60L2 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：240 ... | ||||||
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IXTH30N60P | Ixys | TO-247-3 | 356 | MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH360N055T2 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 360Amps 55V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTH36N20T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH36N50P | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH36P10 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 36 A... | ||||||
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IXTH3N100P | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 3 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH3N120 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH40N30 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH40N50L2 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 40 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTH41N25 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH440N055T2 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTH44N30T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，漏极连续电流：44 A，配置：Single，安装风格：Throu... | ||||||
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IXTH44P15T | Ixys | TO-247-3 | 257 | MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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