Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTH200N10T | Ixys | TO-247-3 | 1,544 | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTH20N50D | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH20N60 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH20P50P | Ixys | TO-247-3 | 302 | MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH21N50 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH220N055T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH220N075T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH22N50P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH230N085T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：230 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH240N055T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET MOSFET Id240 BVdass55 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：240 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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IXTH24N50 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH24N50L | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH24N50Q | Ixys | TO-247AD | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH24P20 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 24 A... | ||||||
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IXTH250N075T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：250 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH260N055T2 | Ixys | TO-247（IXTH） | 11 | MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH26N60P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH26P20P | Ixys | TO-247-3 | 291 | MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电... | ||||||
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IXTH280N055T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH28N50Q | Ixys | TO-247AD | MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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