Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTH140P05T | Ixys | TO-247-3 | 30 | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH14N100 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 14 Amps 1000V 0.82 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14 A，电阻... | ||||||
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IXTH14N80 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH150N17T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 150 Amps 17V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：175 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
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IXTH152N085T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：152 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH15N50L2 | Ixys | TO-247-3 | 1,541 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTH160N075T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH160N10T | Ixys | TO-247-3 | 2,250 | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTH160N15T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 160Amps 150V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTH16N10D2 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.064 Ohms，配置：Single，最大工作温度：+ 17... | ||||||
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IXTH16N50D2 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTH16P20 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 16 A... | ||||||
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IXTH16P60P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH180N085T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH180N10T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTH182N055T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：182 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH1N100 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.5 A，电... | ||||||
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IXTH1N250 | Ixys | TO-247AD | MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：2500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.5 A，电... | ||||||
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IXTH200N075T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH200N085T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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