Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTH102N20T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTH102N25T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH10N100D | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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IXTH10P50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 11 A... | ||||||
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IXTH10P50P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTH10P60 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 10 A... | ||||||
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IXTH110N25T | Ixys | TO-247-3 | 1,140 | MOSFET 110 Amps 250V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXTH11P50 | Ixys | TO-247-3 | 2,263 | MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 11 A... | ||||||
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IXTH120N15T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH120P065T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 65 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：- 120 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH12N100 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXTH12N100L | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXTH12N100Q | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：1 KV，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1050 mOhms，配置：Single，... | ||||||
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IXTH12N120 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXTH12N90 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXTH130N10T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTH130N15T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTH130N20T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 130Amps 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTH13N110 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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IXTH13N80 | Ixys | TO-247-3 | 162 | MOSFET 13 Amps 800V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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