Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTC220N055T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTC220N075T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：115 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTC230N085T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 136 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0053 Ohms，配置：Singl... | ||||||
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IXTC240N055T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：132 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTC250N075T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：128 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0044 Ohms，配置：Singl... | ||||||
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IXTC26N50P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲... | ||||||
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IXTC280N055T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：145 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTC36P15P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC62N15P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET Polar MOS | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC72N30T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC75N10 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：72 A，电阻汲... | ||||||
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IXTD5N100A | Ixys | 模具 | MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTE250N10 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：250 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 m... | ||||||
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IXTF03N400 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | MOSFET HI VOLTAGE MOSFET N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：4000 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：300 mA，电阻汲极... | ||||||
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IXTF200N10T | Ixys | i4-Pac?-5 | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTF230N085T | Ixys | i4-Pac?-5 | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTF250N075T | Ixys | i4-Pac?-5 | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：140 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTF280N055T | Ixys | i4-Pac?-5 | MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTH02N250 | Ixys | TO-247-3 | 311 | MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTH102N15T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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