Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA90N075T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 6 | MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA90N15T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA96P085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA98N075T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：98 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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IXTA98N075T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：98 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01 Ohms，配置：Single，安... | ||||||
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IXTB30N100L | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 30 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXTB62N50L | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 25 | MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲... | ||||||
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IXTC102N20T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC102N25T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC110N25T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 110 Amps 250V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXTC130N15T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC13N50 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXTC160N085T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC160N10T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：83 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTC180N055T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTC180N085T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTC180N10T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.007 Oh... | ||||||
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IXTC200N075T | Ixys | ISOPLUS 220 | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms，配置：Singl... | ||||||
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IXTC200N085T | Ixys | ISOPLUS 220 | MOSFET 110 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms，配置：Singl... | ||||||
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IXTC200N10T | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 118 Amps 100V 5.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：101 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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