Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA6N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA6N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA70N075T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA70N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.013... | ||||||
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IXTA72N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA74N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA75N10P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA76N075T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.012... | ||||||
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IXTA76N25T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,335 | MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA76P10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 5,554 | MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA7N60P | Ixys | TO-263 | MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA80N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 9,027 | MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA80N10T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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IXTA86N20T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 150 | MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：86 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA88N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.011... | ||||||
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IXTA88N085T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.011... | ||||||
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IXTA8N50P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA8PN50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 8.0 Amps 500 V 0.8 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA90N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 90 Amps 55V 8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.008... | ||||||
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IXTA90N055T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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