Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTQ102N20T | Ixys | TO-3P | MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTQ102N25T | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTQ10P50P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTQ110N055P | Ixys | TO-3P | MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ110N10P | Ixys | TO-3P | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXTQ120N15P | Ixys | TO-3P | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IXTQ120N15T | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTQ120N20P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 80 | MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IXTQ130N10T | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTQ130N15T | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTQ140N10P | Ixys | TO-3P | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：140 A，电阻... | ||||||
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IXTQ14N60P | Ixys | TO-3P | 269 | MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ150N06P | Ixys | TO-3P | MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ150N15P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 17 | MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
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IXTQ152N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：152 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ160N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ160N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ160N10T | Ixys | TO-3P | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTQ16N50P | Ixys | TO-3P | 15 | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ170N10P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 150 | MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻... | ||||||
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