Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA42N25P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA44N15T | Ixys | MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds | |||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA44N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA44N30T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA44P15T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,031 | MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：- 44 A... | ||||||
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IXTA48N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA4N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA4N80P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：3.5 A，电阻... | ||||||
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IXTA50N20P | Ixys | TO-263AA | 300 | MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA50N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA52P10P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,200 | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：52 A，电... | ||||||
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IXTA54N30T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA56N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA5N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4.8 A，电阻... | ||||||
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IXTA5N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA60N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 15 | MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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IXTA60N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 60 Amps 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA62N15P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 10 | MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA62N25T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA6N100D2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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