Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA2N100P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA2N80 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA2N80P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA2R4N120P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.4 A，电... | ||||||
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IXTA300N04T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：300 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA300N04T2-7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 300 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：300 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA32N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA32P05T | Ixys | TO-263AA | 1,946 | MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：- 32 A，... | ||||||
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IXTA36N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA36N30P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,744 | MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXTA36N30T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA36P15P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,657 | MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：36 A，电... | ||||||
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IXTA38N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 38 Amps 150V 52 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA3N100D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,876 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA3N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA3N110 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA3N120 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA3N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA3N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：3.6 A，电阻... | ||||||
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IXTA3N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲极... | ||||||
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