Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA200N055T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA200N075T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA200N075T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA200N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA200N085T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA220N04T2 | Ixys | TO-263 | MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA220N04T2-7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA220N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA220N055T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA220N075T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA220N075T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA230N075T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 230 Amps 75V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA240N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：240 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA240N055T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：240 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA24P085T | Ixys | TO-263AA | 5,965 | MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA260N055T2-7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 260 Amps 55V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA26P20P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 9,895 | MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电... | ||||||
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IXTA27N20T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 27 Amps 200V 100 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA28P065T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 65 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：- 28 A，... | ||||||
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IXTA2N100 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲... | ||||||
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