Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA160N10T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTA160N10T7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTA16N50P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA170N075T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 170 Amps 75V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA180N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA180N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA180N085T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA180N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 237 | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTA180N10T7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTA182N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：182 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA182N055T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：182 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA18P10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA1N100 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 553 | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.5 A，电... | ||||||
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IXTA1N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 52 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.2 A，电... | ||||||
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IXTA1N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA1N80 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTA1R4N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 410 | MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 A，电... | ||||||
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IXTA1R4N120P | Ixys | TO-263AA | 100 | MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 A，电... | ||||||
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IXTA1R6N100D2 | Ixys | TO-263AA | 1 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA1R6N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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