Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTA10P50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTA110N055P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA110N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA110N055T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3 | MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA110N055T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA120N04T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 120 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA120N075T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 120 Amps 75V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA120P065T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 65 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：- 120 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA12N50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA130N065T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 130 Amps 65V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA130N10T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 250 | MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTA130N10T7 | Ixys | TO-263-7（IXTA） | MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：130 A，电阻... | ||||||
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IXTA140P05T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,409 | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTA14N60P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 270 | MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA152N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：152 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA152N085T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：152 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA160N04T2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 35 | MOSFET 160Amps 40V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTA160N075T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA160N075T7 | Ixys | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTA160N085T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A，电阻汲... | ||||||
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