Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXKP13N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 13 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.5 A，电阻... | ||||||
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IXKP20N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 20 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXKP20N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 20 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.6 A，电阻... | ||||||
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IXKP24N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 24 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXKP24N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 24 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.5 A，电阻... | ||||||
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IXKP35N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 35 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲... | ||||||
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IXKR25N80C | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 25 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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IXKR40N60C | Ixys | TO-247-3 | 30 | MOSFET 40 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲... | ||||||
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IXKR47N60C5 | Ixys | TO-247-3 | 37 | MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXKT70N60C5 | Ixys | MOSFET 70 Amps 600V | |||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXKU5-505MINIPACK2 | Ixys | - | MOSFET MiniPack 2 | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXT-1-1N100S1 | Ixys | - | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：94，... | ||||||
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IXTA05N100 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.75 A，... | ||||||
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IXTA08N100D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA08N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTA08N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 93 | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTA08N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA100N04T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 100 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA102N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTA10N60P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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