Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXKC19N60C5 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：19 A，电阻汲... | ||||||
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IXKC20N60C | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲... | ||||||
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IXKC23N60C5 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXKC25N80C | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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IXKC40N60C | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXKF40N60SCD1 | Ixys | i4-Pac?-5（3 引线） | MOSFET 40 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲... | ||||||
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IXKG25N80C | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH20N60C5 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH24N60C5 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 24 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH30N60C5 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH35N60C5 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 35 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH47N60C | Ixys | TO-247-3 | 290 | MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲... | ||||||
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IXKH70N60C5 | Ixys | TO-247AD | 1 | MOSFET 70 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IXKK85N60C | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：85 A，电阻汲... | ||||||
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IXKN40N60C | Ixys | SOT-227B | MOSFET 40 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXKN45N80C | Ixys | SOT-227B | MOSFET 45 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
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IXKN75N60C | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 496 | MOSFET 75 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXKP10N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 10 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXKP10N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 10 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.4 A，电阻... | ||||||
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IXKP13N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 13 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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