Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTP74N15T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP75N10P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP76N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id76 BVdass75 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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IXTP76N25T | Ixys | TO-220-3 | 35 | MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP76P10T | Ixys | TO-220-3 | 9,499 | MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：76 A，电... | ||||||
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IXTP7N60P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.1 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP7N60PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 7 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP80N10T | Ixys | TO-220-3 | 9,069 | MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP86N20T | Ixys | TO-220-3 | 127 | MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTP88N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.011... | ||||||
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IXTP8N50P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXTP8N50PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP90N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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IXTP90N055T2 | Ixys | TO-220-3 | 36 | MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP90N075T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTP90N15T | Ixys | TO-220-3 | 61 | MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲... | ||||||
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IXTP96P085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 85 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：- 96 A，... | ||||||
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IXTP98N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：98 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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IXTQ100N25P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 49 | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXTQ102N15T | Ixys | TO-3P | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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