Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFX26N100P | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 26 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
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IXFX26N120P | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻... | ||||||
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IXFX26N60Q | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX26N90 | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX27N80Q | Ixys | TO-247-3 变式 | 298 | MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX30N100Q2 | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXFX30N110P | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXFX30N50Q | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX32N100P | Ixys | TO-247-3 变式 | 930 | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻... | ||||||
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IXFX32N100Q3 | Ixys | TO-247-3 变式 | 111 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFX32N50 | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFX32N50Q | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX32N80P | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX32N80Q3 | Ixys | TO-247-3 变式 | 17 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFX34N80 | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET 800V 34A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFX360N10T | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFX38N80Q2 | Ixys | TO-247-3 变式 | MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲... | ||||||
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IXFX40N90P | Ixys | PLUS247?-3 | MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：210 ... | ||||||
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IXFX420N10T | Ixys | TO-247-3 变式 | 103 | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFX44N50F | Ixys | PLUS 247 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
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