Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFT80N10 | Ixys | TO-268 | MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT80N10Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT80N15Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT80N20Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT86N30T | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFT88N30P | Ixys | TO-268AA | MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFT96N20P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 30 | MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT9N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFV110N10P | Ixys | PLUS220 | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXFV110N10PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXFV12N120P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFV12N120PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFV12N80P | Ixys | PLUS220 | MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFV12N80PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFV12N90P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFV12N90PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFV14N80P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.7 ... | ||||||
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IXFV14N80PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.7 ... | ||||||
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IXFV15N100P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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IXFV15N100PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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