Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFT28N50Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 28 Amps 500V 0.20W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT30N40Q | Ixys | TO-268 | MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT30N50 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT30N50P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 500V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT30N50Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT30N50Q3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT30N60P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 600V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT30N60Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT32N50 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT32N50Q | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 500V 32A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFT340N075T2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFT36N50P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 500V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT36N60P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 600V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT40N30Q | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 300V 40A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFT40N50Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT42N50P2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 100 | MOSFET PolarP2 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT44N50P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 500V 44A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT44N50Q3 | Ixys | TO-268AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT4N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT50N20 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 50 Amps 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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