Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFR9N80Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 9 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：1，... | ||||||
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IXFT10N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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IXFT120N15P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IXFT12N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFT12N100F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFT12N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 12 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFT12N50F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT12N90Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT13N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 1KV 12.5A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFT13N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT140N10P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 34 | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：140 A，电阻... | ||||||
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IXFT14N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14 A，电阻... | ||||||
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IXFT14N80P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.7 Ohms，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TO-268，包装... | ||||||
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IXFT15N100 | Ixys | TO-268 | MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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IXFT15N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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IXFT15N100Q3 | Ixys | TO-268AA | 20 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFT15N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT16N120P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 382 | MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻... | ||||||
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IXFT16N80P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT16N90Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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