Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFR32N100P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 32 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻... | ||||||
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IXFR32N100Q3 | Ixys | TO-247-3 | 20 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFR32N50Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 30 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR32N80P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR32N80Q3 | Ixys | TO-247-3 | 57 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFR34N80 | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 800V 28A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFR36N50P | Ixys | ISOPLUS247? | 23 | MOSFET 500V 36A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR36N60P | Ixys | TO-247-3 | 30 | MOSFET 600V 20A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR38N80Q2 | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR40N50Q2 | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 500V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR40N90P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：230 ... | ||||||
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IXFR44N50P | Ixys | ISOPLUS247? | 13 | MOSFET 500V 44A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR44N50Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：34 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR44N50Q3 | Ixys | ISOPLUS247? | 2 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFR44N60 | Ixys | ISOPLUS 247 | 27 | MOSFET 600V 38A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFR44N80P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET DIODE Id26 BVdass800 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR48N50Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR48N60P | Ixys | TO-247-3 | 208 | MOSFET 600V 48A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFR48N60Q3 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFR4N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.5 A，电... | ||||||
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