Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFR20N100P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：11 A，电阻... | ||||||
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IXFR20N120P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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IXFR20N80P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR21N100Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：18 A，电阻... | ||||||
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IXFR24N100 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 1KV 22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFR24N100Q3 | Ixys | TO-247-3 | 150 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFR24N50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR24N50Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR24N80P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：420 ... | ||||||
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IXFR24N90Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 22 Amps 900V 0.47W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：900 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms，配置：Single，封装形式：ISOPLUS... | ||||||
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IXFR25N90 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 25 Amps 900V 0.32W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：1，... | ||||||
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IXFR26N100P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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IXFR26N120P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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IXFR26N50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 24 Amps 500V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR26N50Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 24 Amps 500V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR26N60Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 23 Amps 600V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR27N80Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR30N110P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 30 Amps 1100V 0.4000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻... | ||||||
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IXFR30N50Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR30N60P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 600V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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