Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFR12N100F | Ixys | ISOPLUS 247 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
.jpg)
|
IXFR12N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFR12N120P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXFR13N50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：1，... | ||||||
|
|
IXFR140N20P | Ixys | TO-247-3 | 750 | MOSFET 75 Amps 200V 0.018 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR140N30P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR14N100Q2 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 14 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：9.5 A，电... | ||||||
|
|
IXFR150N15 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 105 Amps 150V 0.0125 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：105 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFR15N100P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXFR15N100Q3 | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1 kV，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
IXFR15N80Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 13 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR16N120P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR16N80P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXFR180N06 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 180 Amps 60V 0.005 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR180N07 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR180N085 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFR180N10 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 100V 165A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFR180N15P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
|
IXFR18N90P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10.5 A，电... | ||||||
|
|
IXFR200N10P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：133 A，电阻... | ||||||
46/128 首页 上页 [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] 下页 尾页
