Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFP7N100P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 7 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1 KV，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/... | ||||||
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IXFP7N80P | Ixys | TO-220-3 | 300 | MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFP7N80PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 4 Amps 800V 1.44 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 O... | ||||||
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IXFP8N50PM | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 4.4 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4.4 A，电阻... | ||||||
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IXFQ10N80P | Ixys | TO-3P | MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXFQ12N80P | Ixys | TO-3P | MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFQ14N80P | Ixys | TO-3P | MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.7 ... | ||||||
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IXFQ21N50Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 21 Amps 500V 0.250 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFQ22N60P3 | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 276 | MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFQ23N60Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 23 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：1，... | ||||||
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IXFQ24N50Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFQ26N50 | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 26 Amps 500V 0.200 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFQ26N50Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFQ28N60P3 | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 300 | MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFQ50N60P3 | Ixys | TO-3P | 6 | MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFQ60N50P3 | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 31 | MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFR100N25 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 87 Amps 250V 0.027 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：87 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR102N30P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR10N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET MOSFET w/FAST Intrinsic Diode | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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IXFR120N20 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 200V 105A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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