Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFN55N50 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：55 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN55N50F | Ixys | SOT-227B | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：55 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN56N90P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 18 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，漏极连续电流：56 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：135 ... | ||||||
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IXFN60N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 600V 60A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN60N80P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET DIODE Id54 BVdass800 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN62N80Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：49 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFN64N50P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 500V 64A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN64N60P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 600V 64A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN66N50Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 66 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN70N60Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 70 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN72N55Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：72 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN73N30 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 300V 73A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN73N30Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN80N48 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：480 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN80N50 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 500V 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN80N50P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 500V 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN80N50Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN80N50Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：63 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFN82N60P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET DIODE Id82 BVdass600 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN82N60Q3 | Ixys | SOT-227B | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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