Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFN39N90 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN40N110P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：34 A，电阻... | ||||||
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IXFN40N90P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 6 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：33 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN420N10T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFN44N100P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：37 A，电阻... | ||||||
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IXFN44N100Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFN44N50 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 500V 44A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN44N50Q | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN44N60 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN44N80 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN44N80P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET 36 Amps 800V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN44N80Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：37 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFN48N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 500V 48A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN48N50Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN48N50U2 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN48N50U3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 48 Amps 500V 100 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN48N60P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 600V 48A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN50N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN50N80Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 50 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN52N90P | Ixys | SOT-227B | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：43 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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