Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFN300N10P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFN30N110P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：25 A，电阻... | ||||||
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IXFN30N120P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXFN32N100P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：27 A，电阻... | ||||||
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IXFN32N100Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFN32N120 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻... | ||||||
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IXFN32N120P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻... | ||||||
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IXFN32N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN32N80P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：29 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN340N06 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：340 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN340N07 | Ixys | SOT-227B | MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IXFN34N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：34 A，电阻... | ||||||
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IXFN34N80 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：34 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN360N10T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 360 Amps 100V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 mOhms，配置：Single，最大工作温度：+ 175... | ||||||
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IXFN36N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 1KV 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFN36N110P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻... | ||||||
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IXFN36N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 600V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN38N100P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 38 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻... | ||||||
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IXFN38N100Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻... | ||||||
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IXFN38N80Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲... | ||||||
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