Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFN20N120 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
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IXFN20N120P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
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IXFN210N20P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：188 A，电阻... | ||||||
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IXFN210N30P3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：192 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFN21N100Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
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IXFN230N10 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：230 A，电阻... | ||||||
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IXFN230N20T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 230A 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXFN23N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻... | ||||||
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IXFN24N100 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 1KV 24A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFN24N100F | Ixys | SOT-227B | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻... | ||||||
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IXFN24N90Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXFN25N90 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN260N17T | Ixys | SOT-227B | MOSFET 245A 170A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXFN26N100P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻... | ||||||
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IXFN26N120P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 26 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻... | ||||||
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IXFN26N90 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 900V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN27N80 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 800V 27A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFN27N80Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN280N07 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲... | ||||||
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IXFN280N085 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲... | ||||||
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