Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN106N20 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 200V 106A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFN110N60P3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 15 | MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
IXFN120N20 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 200V 120A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFN120N25 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
|
IXFN130N30 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 300V 130A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
IXFN132N50P3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：112 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
IXFN140N20P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 205 | MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：115 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN140N30P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 226 | MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：115 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN150N10 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 150 Amps 100V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN150N15 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 150V 150A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFN160N30T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 53 | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXFN170N10 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 170 Amps 100V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN170N30P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：138 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN180N07 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFN180N10 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN180N15P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFN180N20 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 200V 180A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFN180N25T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 155A 250V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXFN200N07 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 70V 200A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
IXFN200N10P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：200 A，电阻... | ||||||
39/128 首页 上页 [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] 下页 尾页
