Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFL80N50Q2 | Ixys | ISOPLUS264? | MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲... | ||||||
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IXFL82N60P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 25 | MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：54 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM10N100 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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IXFM12N100 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFM12N90 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM13N50 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM13N80 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM20N60 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM21N50 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM24N50 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 500V 24A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFM40N30 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 40 Amps 300V 0.088 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM50N20 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 200V 50A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFM6N100 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFM75N10 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 100V 75A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFM7N80 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 7 Amps 800V 1.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFN100N20 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXFN100N25 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXFN100N50P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET 500V 100A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFN100N50Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFN102N30P | Ixys | SOT-227B | 3 | MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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