Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFK26N60Q | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK26N90 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK27N80 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 800V 27A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFK27N80Q | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 183 | MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK30N100Q2 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXFK30N110P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
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IXFK30N50Q | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK32N100P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 229 | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻... | ||||||
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IXFK32N100Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 1,200 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFK32N50Q | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK32N60 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 32 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK32N80P | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK32N80Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 446 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFK33N50 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：33 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK34N80 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 800V 34A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFK35N50 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK360N10T | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFK36N60 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 600V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFK36N60P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 600V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFK38N80Q2 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲... | ||||||
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