Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK180N25T | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 180A 250V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXFK200N10P | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：200 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK20N120 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK20N120P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 3 | MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK20N80Q | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFK210N17T | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 210A 170V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXFK21N100F | Ixys | TO-264AA | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK21N100Q | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK220N15P | Ixys | TO-264AA（IXFK） | 25 | MOSFET 220Amps 150V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXFK230N20T | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 521 | MOSFET 230A 200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：230 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK24N100 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 1KV 24A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IXFK24N100F | Ixys | TO-264AA | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK24N100Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 360 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
IXFK24N80P | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFK24N90Q | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFK250N10P | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
|
|
IXFK25N90 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFK260N17T | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 260A 170V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXFK26N100P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 26 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFK26N120P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 233 | MOSFET 26 Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻... | ||||||
33/128 首页 上页 [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] 下页 尾页
