Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFH80N10Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 100V 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH80N15Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH80N20Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 200V 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH88N20Q | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH88N30P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH8N80 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 8 Amps 800V 1.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFH96N15P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH96N20P | Ixys | TO-247-3 | 18 | MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH9N80 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFH9N80Q | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFI7N80P | Ixys | TO-262（I2PAK） | MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFJ13N50 | Ixys | TO-268 | MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IXFJ32N50Q | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲... | ||||||
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IXFJ40N30 | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲... | ||||||
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IXFK100N10 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXFK100N25 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXFK102N30P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 19 | MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXFK110N07 | Ixys | TO-264AA（IXFK） | MOSFET 70V 110A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IXFK120N20 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 50 | MOSFET 200V 120A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFK120N20P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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