Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFH69N30P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | 25 | MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：69 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH6N100 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 1KV 6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFH6N100F | Ixys | TO-247（IXFH） | MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH6N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH6N120 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH6N120P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFH70N15 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH70N20Q3 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFH74N20 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH74N20P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH75N10 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 100V 75A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH75N10Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH76N07-11 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 70V 76A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IXFH76N07-12 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 70V 76A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IXFH7N80 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 7 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFH7N90Q | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFH80N06 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET Legacy HiPer 60V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXFH80N08 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFH80N085 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IXFH80N10 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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