Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFH22N60P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 600V 22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH22N60P3 | Ixys | TO-247-3 | 430 | MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFH230N075T2 | Ixys | TO-247-3 | 50 | MOSFET 230 Amps 75V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFH230N10T | Ixys | TO-247-3 | 113 | MOSFET 230Amps 100V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXFH23N60Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH23N80Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH24N50 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 500V 24A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH24N50Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 500V 24A Q-Class | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH24N80P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET DIODE Id24 BVdass800 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH24N90P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | 274 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH26N50 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET DIODE Id26 BVdass500 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH26N50P | Ixys | TO-247-3 | 576 | MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500 | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH26N50Q | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 500V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH26N55Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH26N60P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 600V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH26N60Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 600V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH28N50F | Ixys | TO-247AD | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH28N50Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 28 Amps 500V 0.20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH28N60P3 | Ixys | TO-247-3 | 246 | MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFH30N40Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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