Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFH160N15T | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 160 Amps 150V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFH16N120P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻... | ||||||
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IXFH16N50P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 500V 16A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH16N80P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH16N90Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH170N10P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻... | ||||||
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IXFH17N80Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH18N100Q3 | Ixys | TO-247-3 | 255 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFH18N60P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 600V 18A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH18N90P | Ixys | TO-247-3 | 264 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH20N100P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
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IXFH20N60 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 600V 20A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH20N60Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH20N80P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH20N80Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 800V 20A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH21N50 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 500V 21A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH21N50F | Ixys | TO-247（IXFH） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH21N50Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH22N50P | Ixys | TO-247-3 | 263 | MOSFET 500V 22A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH22N55 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 550V 22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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