Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH13N100 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12.5 A，... | ||||||
|
|
IXFH13N50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 500V 13A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFH13N80 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 800V 13A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFH13N80Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFH13N90 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFH140N10P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：140 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH14N100 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH14N100Q2 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：14 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH14N60P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 600V 14A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFH14N80 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFH14N80P | Ixys | TO-247-3 | 300 | MOSFET DIODE Id14 BVdass800 | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
IXFH150N15P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：150 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH150N17T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 150 Amps 175V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：175 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：150 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
IXFH15N100 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH15N100P | Ixys | TO-247-3 | 48 | MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH15N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH15N100Q3 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
|
IXFH15N60 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 15 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFH15N80 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 800V 15A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFH15N80Q | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 800V 15A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
25/128 首页 上页 [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] 下页 尾页
