Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFH10N100P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 10 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXFH10N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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IXFH10N80P | Ixys | TO-247-3 | 85 | MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH10N90 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 10 Amps 900V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH110N10P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | 15 | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXFH110N15T2 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 110 Amps 150V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.013 Ohms，配置：Single，最大工作温度：+ 17... | ||||||
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IXFH110N25T | Ixys | TO-247-3 | 30 | MOSFET 110 Amps 0V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXFH11N80 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 11 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：11 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH120N15P | Ixys | TO-247-3 | 1,751 | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IXFH120N20P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N100 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 1KV 12A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IXFH12N100F | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N100P | Ixys | TO-247-3 | 8 | MOSFET 12 Amps 1000V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N100Q | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N120 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N120P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻... | ||||||
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IXFH12N50F | Ixys | TO-247（IXFH） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFH12N80P | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET DIODE Id12 BVdass800 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFH12N90 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 900V 12A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFH12N90P | Ixys | TO-247-3 | 1,365 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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