Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFE24N100 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFE34N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFE36N100 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：33 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFE39N90 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 34 Amps 900V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：34 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE44N50Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE44N50QD2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE44N50QD3 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE44N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 41 Amps 600V 0.13 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE48N50Q | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE48N50QD2 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE48N50QD3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE50N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE55N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE73N30Q | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFE80N50 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：72 A，电阻汲... | ||||||
|
IXFF24N100 | Ixys | i4-Pac?-5（3 引线） | MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFG55N50 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：48 A，电阻汲... | ||||||
|
IXFH100N25P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFH102N15T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 102 Amps 0V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXFH10N100 | Ixys | TO-247AD（IXFH） | MOSFET 1KV 10A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
23/128 首页 上页 [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] 下页 尾页
