Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFC16N50P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 500V 16A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
IXFC16N80P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET DIODE Id9 BVdass800 | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFC20N80P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
|
IXFC22N60P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 600V 22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFC24N50 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC26N50 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 23 Amps 500V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC26N50P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 500V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFC30N60P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 600V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFC36N50P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 500V 36A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
|
|
IXFC40N30Q | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
IXFC52N30P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 24 Amps 300V 0.066 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC60N20 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC74N20P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC80N08 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
IXFC80N085 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 80 Amps 85V 0.009 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
IXFC80N10 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IXFC96N15P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲... | ||||||
|
IXFE180N10 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：176 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFE180N20 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：158 A，电阻... | ||||||
|
|
IXFE23N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
22/128 首页 上页 [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下页 尾页
