Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFB38N100Q2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：38 A，电阻... | ||||||
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IXFB40N110P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：40 A，电阻... | ||||||
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IXFB44N100P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：44 A，电阻... | ||||||
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IXFB44N100Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFB50N80Q2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 50 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB52N90P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：52 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB60N80P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 32 | MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB62N80Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFB70N60Q2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 41 | MOSFET 70 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB72N55Q2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：72 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB80N50Q2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB82N60P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 16 | MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲... | ||||||
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IXFB82N60Q3 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 25 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFC10N80P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 O... | ||||||
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IXFC110N10P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
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IXFC12N80P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 7 Amps 800V 0.93 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFC13N50 | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 13 Amps 500V 0.4W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXFC14N60P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 600V 14A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFC14N80P | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 8 Amps 800V 0.77 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.75 ... | ||||||
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IXFC15N80Q | Ixys | ISOPLUS220? | MOSFET 13 Amps 800V 0.65 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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