Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTY05N100 | Ixys | MOSFET Legacy MOS | |||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTY08N100D2 | Ixys | TO-252AA | 1,130 | MOSFET 8mAmps 1000V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTY08N100P | Ixys | TO-252AA | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTY08N120P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTY08N50D2 | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTY12N06T | Ixys | TO-252AA | MOSFET 12 Amps 6V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTY15N20T | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTY1N100P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲... | ||||||
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IXTY1N80 | Ixys | TO-252AA | MOSFET 1 Amps 800 V 11 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTY1N80P | Ixys | TO-252AA | MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTY1R4N100P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 A，电... | ||||||
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IXTY1R4N60P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.4 A，电阻... | ||||||
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IXTY1R6N100D2 | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 492 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTY1R6N50D2 | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 10 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTY1R6N50P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.6 A，电阻... | ||||||
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IXTY24N15T | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTY2N100P | Ixys | TO-252AA | MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲... | ||||||
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IXTY2N60P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTY2N80P | Ixys | TO-252AA | MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTY2R4N50P | Ixys | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：2.4 A，电阻... | ||||||
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