Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTV22N50P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV22N50PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV22N60P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV22N60PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV230N085T | Ixys | PLUS220 | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：230 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV230N085TS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：230 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV250N075T | Ixys | PLUS220 | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：250 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV250N075TS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：250 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV26N50P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV26N50PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV26N60P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV26N60PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV280N055T | Ixys | PLUS220 | MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV280N055TS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTV30N50P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV30N50PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV30N60P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV30N60PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV36N50P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV36N50PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
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