Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTU08N100P | Ixys | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTU12N06T | Ixys | TO-251AA | MOSFET 12 Amps 6V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTU1R4N60P | Ixys | TO-251AA | MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.4 A，电阻... | ||||||
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IXTU2N80P | Ixys | TO-251AA | MOSFET Polar MOS | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：2 A，电阻汲极... | ||||||
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IXTU44N10T | Ixys | TO-251AA | MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTU50N085T | Ixys | TO-251AA | MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTU55N075T | Ixys | TO-251AA | MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTU5N50P | Ixys | TO-252AA | MOSFET 5 Amps 500V 1.4 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：4.8 A，电阻... | ||||||
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IXTU64N055T | Ixys | TO-251AA | MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：75，... | ||||||
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IXTV02N250S | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET N-Chan Pwr Mosfet 2500V 200mA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：2500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：200 mA，电阻汲极... | ||||||
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IXTV03N400S | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET High Voltage Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：4000 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：300 mA，电阻汲极... | ||||||
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IXTV102N20T | Ixys | PLUS220 | MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTV102N25T | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTV110N25TS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 110 Amps 250V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻... | ||||||
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IXTV120N15T | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTV130N15T | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXTV18N60P | Ixys | TO-220-3（SMT）标片 | MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV18N60PS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲... | ||||||
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IXTV200N10T | Ixys | PLUS220 | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTV200N10TS | Ixys | PLUS-220SMD | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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