Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTT64N25P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：64 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT69N30P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：69 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT6N120 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 300 | MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT72N20 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：72 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT74N20P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT75N10 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT75N10L2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 5 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTT75N20L2 | Ixys | - | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTT82N25P | Ixys | TO-268AA | 254 | MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT88N15 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 88 Amps 150 V 0.022 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT88N30P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT8P50 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 8 A，... | ||||||
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IXTT90P10P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT96N15P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 56 | MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT96N20P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲... | ||||||
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IXTU01N100 | Ixys | TO-251AA | MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.1 A，电... | ||||||
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IXTU01N100D | Ixys | TO-251AA | MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.1 A，电... | ||||||
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IXTU01N80 | Ixys | TO-251AA | MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.1 A，电阻... | ||||||
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IXTU02N50D | Ixys | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 55 | MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.2 A，电阻... | ||||||
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IXTU05N100 | Ixys | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 0.5 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1 KV，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：750 mA，电阻... | ||||||
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