Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTT24P20 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 224 | MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 24 A... | ||||||
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IXTT26N50P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 25 | MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT26N60P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT28N50Q | Ixys | TO-268 | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT30N50L | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 30 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT30N50L2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 90 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT30N50P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT30N60L2 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTT30N60P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT360N055T2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 360Amps 55V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTT36N50P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 23 | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT36P10 | Ixys | TO-268AA | MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT40N50L2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 70 | MOSFET 40 Amps 500V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTT48P20P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：48 A，电... | ||||||
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IXTT50N30 | Ixys | TO-268 | MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT50P085 | Ixys | TO-268AA | MOSFET -50 Amps -85V 0.055 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT50P10 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 50 A... | ||||||
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IXTT52N30P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：52 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT60N10 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT60N20L2 | Ixys | TO-268AA | 5 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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