Fairchild Semiconductor
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FDI025N06 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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FDI030N06 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 999 | MOSFET NCH 60V 3.0Mohm | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极... | ||||||
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FDI038AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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FDI040N06 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极... | ||||||
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FDI045N10A_F102 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | 400 | MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：120 A，... | ||||||
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FDI047AN08A0 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 75V N-Ch PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
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FDI047AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET 75V N-Ch PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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FDI150N10 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏... | ||||||
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FDI2532 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDI2532_Q | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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FDI33N25TU | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET TBD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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FDI3632 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDI3652 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDI8441 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/... | ||||||
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FDI8441_F085 | Fairchild Semiconductor | I2PAK（TO-262） | MOSFET 40V NCH PwrTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：80 A，电阻... | ||||||
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FDI8442 | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/... | ||||||
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FDI9406_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-262AB | MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDJ1027P | Fairchild Semiconductor | SC75-6 FLMP | MOSFET 1.8 V P-CH PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，... | ||||||
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FDJ1028N | Fairchild Semiconductor | SC75-6 FLMP | MOSFET 20V N-Ch 2.5Vgs Spec PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/... | ||||||
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FDJ1032C | Fairchild Semiconductor | SC75-6 FLMP | MOSFET SC75 FLMP COMPLEMENTARY POWER | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+... | ||||||
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