Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMG8601UFG-7 | Diodes Inc. | U-DFN3030-8 | MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG8822UTS-13 | Diodes Inc. | 8-TSSOP | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG8880LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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DMG2301U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 119,324 | MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23 | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 411,510 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... | ||||||
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DMG2307L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 164,192 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMG4932LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMC2038LVT-7 | Diodes Inc. | TSOT-26 | 9,000 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击... | ||||||
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DMC4040SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET COMP NPN | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V, -40 V，闸... | ||||||
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DMP1022UFDE-7 | Diodes Inc. | U-DFN2020-6（E 类） | MOSFET 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP1045U-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 4,978 | MOSFET MOSFET BVDSS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP1045UFY4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | MOSFET MOSFET BVDSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP1080UCB4-7 | Diodes Inc. | U-WLB1010-4 | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，漏极连续电流：- 3.3 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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DMP1096UCB4-7 | Diodes Inc. | 4-UFBGA，WLBGA | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：- 5 ... | ||||||
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DMP2004DMK-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | MOSFET 500mW -20Vdss | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | MOSFET Dual P-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP2004K-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1,201,688 | MOSFET P-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP2004TK-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 62,724 | MOSFET P-Channel .15W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP2004VK-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | 66,107 | MOSFET Dual P-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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